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消息称三星电子 HBM4 良率已接近 80%，产能爬坡加速

三星电子今年 2 月初步量产 HBM4 时其良率仅有 60% 左右，这限制了三星电子在 HBM4 上的投片量。更好的良率提升了三星电子向 HBM4 分配产能的积极性。...

2026-08-10 · 浏览92次

NVIDIA 评估下调 Rubin Ultra HBM 配置，或将不限于 12Hi HBM4E

NVIDIA 可能的降级路径包括从 HBM4E 下调至 HBM4、从 12Hi HBM 下调至 8Hi HBM，后者能提升最终 GPU 出货数量。...

2026-08-04 · 浏览121次

进一步增强逻辑性能：三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片

HBM5 的运行速率预计将较 HBM4E 提升 50% 以上，其基础裸片将支持更高密度的硅通孔 (TSV) 以满足行业需求。...

2026-07-27 · 浏览142次

用时不到 5 个月：消息称三星电子 HBM4 内存销售额业界率先突破 10 亿美元大关

该产品基于 1cnm DRAM Die 和 4nm 逻辑 Base Die，引脚速率可达 13Gbps，堆栈总带宽达 3.3TB/s。...

2026-06-23 · 浏览212次

集邦咨询：三大原厂明年将大幅调高 HBM 报价

集邦咨询认为，基于 DRAM 供不应求市况、新旧世代 HBM 的高制造难度及高成本，三大原厂将于 2027 年大幅调高 HBM 的报价。...

2026-06-02 · 浏览241次

“HBM 之父”金正浩：AI 芯片格局将发生根本性变化，内存会取代 GPU 主角地位

金正浩指出，“现在是 GPU 主导一切的时代，但未来，GPU 将被‘装进’HBM（高带宽内存）和 HBF（高带宽闪存）之中，计算核心将彻底转向内存，GPU 和 CPU 将成为配角。”...

2026-04-01 · 浏览379次

三星电子：HBM5 与 HBM5E 将分别升级基础裸片与 DRAM 的制程

换句话说，HBM5 将采用 2nm 基础裸片搭配 1c nm DRAM，HBM5E 则将是 2nm 基础裸片搭配 1d nm DRAM。...

2026-03-18 · 浏览369次

Counterpoint 预测：AI ASIC 对 HBM 内存需求四年猛增 35 倍

AI ASIC 阵营 HBM 需求的最重要推动者还是谷歌与其 TPU 芯片。HBM3E 仍将是 AI ASIC 阵营的主力高带宽内存品类。...

2026-03-16 · 浏览428次

消息称英伟达考虑对 Rubin GPU 的 HBM4 需求分档，兼顾性能与供应

英伟达考虑在核心产品中应用 11.7Gbps 的高速 HBM4，而 10Gbps 的较低速度 HBM4 则被分配给次要产品。...

2026-02-22 · 浏览408次

三星电子公布垂直堆叠 zHBM，宣称定制 cHBM 能效可达标准品 2.8 倍

zHBM 中内存堆栈直接放置在 XPU 之上，可实现数以万计的 I/O 通道；cHBM 是在 HBM 堆栈的 Logic Die 内部放置计算单元。...

2026-02-12 · 浏览497次

SRAM 想抢 HBM 的饭碗？黄仁勋：应用于 AI 芯片容量瓶颈是硬伤

科技媒体 Tom's Hardware 今天（1 月 8 日）发布博文，报道称在 CES 2026 展会期间的问答环节，英伟达首席执行官黄仁勋针对“是否用更廉价的 SRAM 取代昂贵的 HBM”这一行业热点进行了回应。...

2026-01-08 · 浏览553次

JEDEC 接近完成 SPHBM4 规范：I/O 引脚数量仅有标准 HBM4 内存的 1/4

SPHBM4 在接口基础裸片部分采用了不同的设计，可安装在标准有机基板而不是硅基板上，在 SoC 和 HBM 内存堆栈间允许更长的线径。...

2025-12-12 · 浏览489次

SK 海力士公布未来存储路线图：HBM5 (E) 内存 2029~2031 年推出

在 2026~2028 年的近期，SK 海力士将推出 16 层堆叠的 HBM4 内存，并从 HBM4E 开始供应定制化 HBM 解决方案。...

2025-11-04 · 浏览454次

集邦预计：英伟达 2026 年 HBM4 供应由 SK 海力士主导，若调高速度要求有利于三星

近来有传闻称，英伟达要求 Rubin GPU 上游组件供应商提高产品规格以提升相对 AMD MI450 "Helios" 机架级 AI 系统的竞争力。...

2025-09-19 · 浏览424次