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SK 海力士公布未来存储路线图:HBM5 (E) 内存 2029~2031 年推出

SK 海力士公布未来存储路线图:HBM5 (E) 内存 2029~2031 年推出

SK 海力士公布未来存储路线图:HBM5 (E) 内存 2029~2031 年推出
在 2026~2028 年的近期,SK 海力士将推出 16 层堆叠的 HBM4 内存,并从 HBM4E 开始供应定制化 HBM 解决方案。...
2025-11-04 · 浏览23次
美光出样 192GB SOCAMM2 内存模组:容量提升 50%,能效提升 20+%

美光出样 192GB SOCAMM2 内存模组:容量提升 50%,能效提升 20+%

美光出样 192GB SOCAMM2 内存模组:容量提升 50%,能效提升 20+%
美光新出样的 SOCAMM2 可达到 9600MT/s 的传输速率,在在 Vera Rubin NVL144 机架系统中提供超过 40TB 的 CPU 内存。...
2025-10-23 · 浏览147次
JEDEC 服务器级 LPDDR5X 内存模块 SOCAMM2 标准即将完成,支持 9600MT/s

JEDEC 服务器级 LPDDR5X 内存模块 SOCAMM2 标准即将完成,支持 9600MT/s

JEDEC 服务器级 LPDDR5X 内存模块 SOCAMM2 标准即将完成,支持 9600MT/s
SOCAMM2 模组的 SPD 串行存在检测芯片将支持模块级识别和遥测,以满足企业部署对可靠性的要求。...
2025-10-21 · 浏览129次
三星半导体:CXL 3.1 CMM-D 内存、512TB 级 PCIe 6.0 固态硬盘明后年见

三星半导体:CXL 3.1 CMM-D 内存、512TB 级 PCIe 6.0 固态硬盘明后年见

三星半导体:CXL 3.1 CMM-D 内存、512TB 级 PCIe 6.0 固态硬盘明后年见
三星电子正在研发第七代 Z-NAND 技术,面向 GIDS(GPU 主动直接存储)应用场景,可实现远超行业标准的吞吐量表现。...
2025-09-29 · 浏览133次
集邦预计:英伟达 2026 年 HBM4 供应由 SK 海力士主导,若调高速度要求有利于三星

集邦预计:英伟达 2026 年 HBM4 供应由 SK 海力士主导,若调高速度要求有利于三星

集邦预计:英伟达 2026 年 HBM4 供应由 SK 海力士主导,若调高速度要求有利于三星
近来有传闻称,英伟达要求 Rubin GPU 上游组件供应商提高产品规格以提升相对 AMD MI450 "Helios" 机架级 AI 系统的竞争力。...
2025-09-19 · 浏览128次
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