寒序科技携手 SEMIFIVE 流片三星 8nm eMRAM 边缘 AI SoC

5 月 7 日消息，韩国芯片设计服务企业 SEMIFIVE 当地时间 7 日宣布，其与中国磁自旋芯片研发企业寒序科技 (ICY Tech) 合作，成功流片一款采用三星晶圆代工 8LPU 制程 eMRAM_{（注：嵌入式磁性随机存取存储器）}的新一代边缘 AI 芯片。

该项目是 SEMIFIVE 首次利用 eMRAM 技术进行 ASIC 设计项目，流片的胜利也标志着亚洲首次商业部署 8nm eMRAM 技术的重要里程碑。

eMRAM 是一种非易失性存储器，不需要类似 DRAM 定期刷新操作；同时其单元尺寸更小，可实现较 SRAM 更高的数据密度。其基于 MTJ（磁隧道结）结构，以 MTJ 处单位单元的电阻变化为基础，使用自旋替代电荷存储数据，几乎可以无限期保留信息。

同时，寒序科技的这款芯片采用 PNM（近内存处理）架构设计解决了端侧推理面临的带宽瓶颈，可支持 2B 模型端侧运行。