AI芯片战争关键一役！英伟达最强Blackwell首次「美国造」

【导读】全球AI竞争的核心在于芯片制造。英伟达与台积电在美国亚利桑那工厂，历史性地亮相了首片用于AI的Blackwell芯片晶圆。标志着最强AI芯片首次实现「美国本土造」，是足以改变行业格局的里程碑，也象征着美国尖端制造业的回归。

全球科技竞争，集中在AI。

AI背后是芯片。

芯片的背后则是工厂。

周五，英伟达与台积电在美国亚利桑那的工厂，首次亮相首片Blackwell芯片晶圆。

这些晶圆最终将用来制作用于人工智能的Blackwell芯片。

黄仁旭在现场说：「你们制造出了令人难以置信的东西，但你们终将意识到，你们是更为历史性事件的一部分」。

其实，早在今年4月份，黄仁勋就拿出5000亿美元豪赌美国本土的AI芯片制造，所谓「MadeinUSA」。

大半年过去，终于，最强芯片Blackwell首次在「美国本土造」出来了！

将世界级AI芯片制造迁美国本土

将台积电的尖端制造能力引入美国，「芯片之父」称之为「一项神来之笔，更是足以改变行业格局的里程碑。」

当我创办台积电时，我曾有一个梦想，那就是在美国建造晶圆厂。

而今，梦想成真。

在凤凰城的厂区内，生产的齿轮已经提前开始转动。

而这里的总投资额，也已经攀升至一个惊人的数字——1650亿美元。

在人工智能的世界里，英伟达是所有赢家中的佼佼者。

但即便是这位AI之王，也毫不讳言地承认：「没有台积电，这一切都无法实现。」

我们能在一个指甲盖大小的芯片上，集成数十亿个晶体管。我们发明了GPU，彻底革新了计算机图形学和人工智能。

我们开创了加速计算的时代，而这一切，都凭借着他们（台积电）为我们打造的芯片。

在庆祝活动上，黄仁勋与台积电运营副总裁共同登台，在这片Blackwell晶圆上签名，以纪念这一里程碑。

它展示了驱动全球AI基础设施的引擎正开始在美国本土制造。

这片作为半导体基础材料的晶圆，将经过分层、光刻（patterning）、蚀刻和切割等一系列复杂工艺，最终成型为英伟达Blackwell架构所提供的超高性能、加速计算AI芯片。

台积电亚利桑那州工厂将生产包括2纳米、3纳米和4纳米芯片以及A16芯片在内的先进技术，这些对于AI、电信和高性能计算等应用都至关重要。

对于美国来说，这个宏大的项目，其意义早已超越了科技本身——它更象征着制造业的回归。

我们正在将就业机会带回美国，建设能够基业长青的芯片制造业。

这或许是半导体产业在美国迎来的最重要的转折点。

新一代芯片美国本土下线

Blackwell是英伟达新一代AI超级芯片。

Blackwell架构第一次是在2024年3月18日的GTC大会上正式由黄仁勋在主旨演讲中首次对外公布的。

简单介绍下Blackwell的基础架构。

• 晶体管数/规模：Blackwell架构GPU拥有约2080亿个晶体管。

• 工艺/芯片制造：Blackwell芯片采用NVIDIA与TSMC合作定制的4NP工艺。

• 芯片互连：为了突破单片硅片（reticle）面积限制，Blackwell GPU由两个子芯片组成，通过一种新的高带宽接口互联（NV-HBI）连接速度可达10TB/s（每秒10太字节）。通过这种方式，两个子芯片可以在逻辑上看作一个统一的GPU，从而实现「全性能链接」。

在GTC 2025上，黄仁勋提到Blackwell目前已处于「全面量产/全面投入」状态。

这次终于首片晶圆由美国本土生产下线。

接下来，Balckwell之后的系列，都有望在美国生产。

Blackwell后面是Blackwell Ultra，作为Blackwell架构的下一步演进版，用于应对更大模型推理、更高性能/带宽需求的AI推理与训练场景。

Blackwell的下一代是由RubinGPU+ VeraCPU组成的「Vera Rubin」超芯片/平台。

黄仁勋在2025年GTC上公布，计划2026年下半年上市，目标是下一阶段的大模型训练与推理。

英伟达的芯片路线图里把Feynman标为Rubin的后继架构，时间窗口指向2028 年。

在它之前会先在2027年推出Rubin Ultra。

参考资料：

https://www.reuters.com/technology/nvidia-tsmc-unveil-first-blackwell-chip-wafer-made-us-axios-reports-2025-10-17/

https://blogs.nvidia.com/blog/tsmc-blackwell-manufacturing/